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更新時間:2026-07-16
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訪 問 量 :120
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普泰克 晶圓制造領域控溫Chiller核心優勢介紹
在晶圓制造的光刻、刻蝕、薄膜沉積(CVD/PVD)、CMP研磨及離子注入等核心制程中,溫度控制的精度與穩定性直接影響晶圓表面的化學反應速率、薄膜生長質量與關鍵尺寸(CD)的控制精度。普泰克聚焦半導體前道全流程溫控需求,其Chiller(高精度冷熱循環器/換熱溫控單元)在以下方面形成了較為突出的核心優勢。
一、寬制程覆蓋,適配半導體前道全流程
普泰克Chiller產品線覆蓋晶圓制造前道八大核心制程設備,可適配以下典型場景:
光刻工藝:光刻膠涂布站恒溫供應、旋涂卡盤冷卻、顯影液溫度管理
刻蝕工藝:干法/濕法刻蝕腔體及蝕刻液恒溫控制
薄膜沉積(CVD/PVD):反應腔室及晶圓載臺精準溫控
CMP研磨:研磨液恒溫供應與分散系統溫度管理
二、控溫精度與一致性表現較為突出
依托高級動態控制算法與高精度溫度傳感技術,系統致力于確保每次控制結果的一致性,對提升產品生產的穩定性有一定幫助。部分PTS/PHE系列在特定工況下可實現較為精準的溫度控制,有助于減少因熱漂移導致的工藝偏差。采用自適應PID控制算法,可根據不同環境和負載自動優化調節,無需頻繁手動調整參數。
三、全密閉循環設計,適配潔凈環境
采用全密閉式系統設計,循環管路與外界空氣隔離,僅保留必要的呼吸孔。該設計有助于:
減少導熱介質在高溫下的氧化及油霧產生,延長介質使用壽命
避免低溫工況下吸收空氣中水分,減少結霜結冰現象
降低介質污染風險,適配晶圓制造對潔凈度的要求
四、快速響應與寬溫域定制能力
參與循環的導熱介質容積相對較小,加熱和制冷響應速度較快,熱慣性小,適用于晶圓制造中可能存在的溫度調節需求。支持較寬的溫度區間定制,部分解決方案可覆蓋-80℃至+300℃,并可依據具體工藝需求進行非標擴展。采用超高溫降溫技術,可在較高溫度工況下直接通入冷卻水實現降溫。
五、變頻技術與運行能效
采用變頻技術,通過系統結構設計和自主控制算法,可根據實際熱負荷需求調節壓縮機輸出頻率,在滿足制程溫度要求的同時兼顧運行能效。系統配備7英寸彩色觸摸屏,支持溫度曲線實時顯示與記錄。
六、普泰克 晶圓制造領域控溫Chiller智能監控與安全防護
設備支持溫度、流量、壓力等多參數同時監控與控制,具備運行狀態實時顯示與故障自動診斷功能。系統集成了多項報警保護機制(超溫報警、泵故障保護、壓力異常等),有助于提升設備運行過程中的安全防護水平。

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